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OBJECTIFS :

Il s'agit d'un cours fondamental dont les connaissances de base sont requises par tous les ingénieurs de branche de circuit 

ce cours porte sur :

1. Familiariser l'étudiant avec le principe de fonctionnement, d'analyse et de conception de jonction 

transistors à diode .BJT et FET et circuits amplificateurs.

2. Comprendre la diode comme un redresseur.

3. Étudier le principe de base du filtre de circuits et de divers types

UNITÉ-I

Diode à jonction PN : théorie qualitative de la jonction PN, jonction PN en tant que diode, équation de diode, caractéristiques du voltampère, dépendance à la température de la caractéristique VI, résistance idéale par rapport à la résistance pratique 

niveaux (statique et dynamique), capacités de transition et de diffusion, circuits équivalents à diodes, ligne de charge 

analyse, mécanismes de claquage dans les diodes semi-conductrices, caractéristiques des diodes zener. 

Appareils électroniques à usage spécial : principe de fonctionnement et caractéristiques de la diode tunnel avec le aide des diagrammes de bande d'énergie, diode Varactar, SCR et photodiode

UNITÉ-II

REDRESSEURS, FILTRES : Jonction PN en tant que redresseur, redresseur demi-onde, redresseur pleine onde, pont redresseur 

 Composants harmoniques dans un circuit redresseur, Filtre inducteur, Filtre condensateur, Filt section L - section 

filtre et comparaison de divers circuits de filtrage, Régulation de tension par diode zener.

UNITÉ-III

TRANSISTOR A JONCTION BIPOLAIRE : Le transistor à jonction, Composants de courant transistor, Transistor 

comme amplificateur, construction du transistor, caractéristiques d'entrée et de sortie du transistor en base commune, 

Configurations d'émetteur commun et de collecteur commun. Paramètres α et β et la relation entre 

eux, Spécifications BJT. Modèle hybride BJT, représentation du paramètre h d'un transistor, analyse de 

amplificateur à transistor à un étage utilisant des paramètres h : gain de tension, gain de courant, impédance d'entrée et 

Impédance de sortie. Comparaison des configurations de transistors en termes de Ai, Ri, Av et Ro,

UNITÉ-IV

BIAISAGE ET STABILISATION DU TRANSISTOR :

point de fonctionnement, les lignes de charge DC et AC, besoin de 

polarisation, critères de fixation, point de fonctionnement, polarisation BJT, polarisation fixe, polarisation du collecteur à la base, auto-polarisation 

techniques de stabilisation, Facteurs de stabilisation, (s, sI, sII), compensation de polarisation à l'aide de diodes et 

transistor , (Compensation contre la variation de VBE, ICO,) Emballement thermique, Condition pour Thermique la stabilité.

UNITÉ-V

TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET AMPLIFICATEUR FET JFET (Construction, principe de fonctionnement et caractéristiques Volt – Ampère). Tension de pincement-petite 

modèle de signal de JFET. FET comme résistance variable de tension, comparaison de BJT et FET. MOSFET 

(Construction, principe de fonctionnement et symbole), caractéristiques MOSFET en amélioration et 

Modes d'épuisement. Amplificateurs FET : amplificateur à source commune FET, amplificateur à drain commun, 

Amplificateur FET généralisé, polarisation FET.

LIVRES DE TEXTE :

1. Circuits numériques analogiques électroniques intégrés, Jacob Millman et D. Halkias, McGraw Hill.

2. Théorie des appareils et circuits électroniques, Boylsted, Prentice Hall Publications.

3. Appareils et circuits électroniques, S. Salivahanan, N. Suresh kumar, McGraw Hill.

4. Appareils et circuits électroniques, Balbir kumar, shail b.jain, PHI Privated Limted, Delhi.

LIVRES DE RÉFÉRENCE:

1. Appareils et circuits électroniques,K.Lal Kishore BS Publications

2. Appareils et circuits électroniques, GSN Raju, IK International Publications, New Delhi, 2006.

3. Appareils et circuits électroniques, AP Godse, UA Bakshi, publications techniques

4. Appareils et circuits électroniques Agences KS Srinivasan Anurdha

RÉSULTATS :

A la fin du cours, l'étudiant sera capable de :

1. Comprendre et analyser les différents types de diodes, leur fonctionnement et ses caractéristiques

2. Concevoir et analyser les circuits de polarisation CC de BJT et FET

3. Concevez des circuits de polarisation à l'aide de diodes et de transistors.

4. Pour analyser et concevoir des circuits d'application de diodes, des circuits amplificateurs et des oscillateurs utilisant BJT, 

dispositifs FET.

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